ID: 1044615
Tuotekoodi: M471A1G44CB0-CWE
Voidaan tilata 67 yksiköt Saatavuus: 14 päivää tilauksen hyväksymisestä
Takuu: 2 vuotta
Samsung SODIMM, DDR4, 8GB, 3200MHz, Single Stick
Kuva voi poiketa todellisesta tuotteesta, ja tuotteessa voi olla lisävarusteita ja osia, joita ei toimiteta varsinaisen tuotteen mukana.
Toimitusvaihtoehdot
- Toimitus Smartpost-pakettiautomaattiin 6,99 €: 09.12.2024
- Kuriiritoimitus 11,99 €: 09.12.2024
Tärkeimmät tuoteparametrit Kaikki parametrit
- CL: N/A
- Enimmäistaajuus: 3200 MHz
- Kapasiteetti: 8 GB
- KIT: Yksittäinen moduuli
- Tyyppi: DDR4
Kaikki parametrit
CL
N/A
CL - muistisyklien viive millisekunteina. On suositeltavaa sijoittaa identtiset CL-muistit samalle emolevylle. Pienempi CL-aika tarkoittaa suurempaa toimintanopeutta, mutta kaikki emolevyt eivät kuitenkaan pysty takaamaan vakaata toimintaa nopeilla muisteilla. Ennen muistin ostamista kannattaa tarkistaa, tukeeko emolevy valitsemaasi CL-aikaa.
Enimmäistaajuus
3200 MHz
Muistin suurin nopeus megahertseinä. Korkeamman kellotaajuuden muisti takaa vakaan toiminnan alemman kellotaajuuden tilassa, esimerkiksi DDRII800-muisti toimii DDRII667- ja DDRII533-tiloissa. Kun DDRII667-muisti asennetaan yhdessä DDRII800-muistin kanssa, emolevy kuitenkin näyttää ja toimii DDRII667-tilassa. Ennen nopean muistin ostamista on tarkistettava, tukeeko emolevy vastaavaa kellotaajuutta (nopeutta).
Kapasiteetti
8 GB
Muistikapasiteetti megatavuina.
Nykyaikaiset käyttöjärjestelmät vaativat vähintään 1 gigatavun RAM-muistia, jotta tietokoneen toiminta olisi vakaata ja nopeaa. MS Windows 7:n (64-bittinen) käyttö edellyttää vähintään 2 Gt RAM-muistia, jotta se toimii täydellisesti.
Kaksoismuistitukea varten on asennettava muistipareja, joissa molemmissa muistimoduuleissa on sama kapasiteetti.
KIT
: Yksittäinen moduuli
Tyyppi
DDR4
RAM-muistin tyyppi. Yhdessä emolevyssä voidaan käyttää vain yhtä tyyppisiä RAM-moduuleja.
Parametrin standardit:
*Ennen RAM-muistin ostamista on tarkistettava, onko emolevyllä vastaava muistipaikka ja tuki kyseiselle muistityypille .
Yksityiskohtaisempi erittely
dimensionalWeight - 1
Features - Buffered memory type - Unregistered (unbuffered)
Features - CAS latency - 22
Features - Component for - Laptop
Features - ECC - No
Features - Internal memory - 8 GB
Features - Internal memory type - DDR4
Features - Memory clock speed - 3200 MHz
Features - Memory form factor - 260-pin SO-DIMM
Features - Memory layout (modules x size) - 1 x 8 GB
Features - Memory voltage - 1.2 V
Features - Module configuration - 1024M x 64
producerCode - M471A1G44CB0-CWE
productName - Integral 8GB LAPTOP RAM MODULE DDR4 3200MHZ EQV. TO M471A1G44CB0-CWE F/ SAMSUNG memory module 1 x 8 GB
productSize - Normal
sizeX - 70
sizeY - 30
sizeZ - 4
warrantyLength - 24
warrantyType - G
weight - 10
Features - Buffered memory type - Unregistered (unbuffered)
Features - CAS latency - 22
Features - Component for - Laptop
Features - ECC - No
Features - Internal memory - 8 GB
Features - Internal memory type - DDR4
Features - Memory clock speed - 3200 MHz
Features - Memory form factor - 260-pin SO-DIMM
Features - Memory layout (modules x size) - 1 x 8 GB
Features - Memory voltage - 1.2 V
Features - Module configuration - 1024M x 64
producerCode - M471A1G44CB0-CWE
productName - Integral 8GB LAPTOP RAM MODULE DDR4 3200MHZ EQV. TO M471A1G44CB0-CWE F/ SAMSUNG memory module 1 x 8 GB
productSize - Normal
sizeX - 70
sizeY - 30
sizeZ - 4
warrantyLength - 24
warrantyType - G
weight - 10
