ID: 1019726
Tuotekoodi: M471A1K43EB1-CWE
Voidaan tilata 89 yksiköt Saatavuus: 14 päivää tilauksen hyväksymisestä
Takuu: 2 vuotta
Samsung SODIMM, DDR4, 8GB, 3200MHz, CL22, Single Stick
Kuva voi poiketa todellisesta tuotteesta, ja tuotteessa voi olla lisävarusteita ja osia, joita ei toimiteta varsinaisen tuotteen mukana.
Toimitusvaihtoehdot
- Toimitus Smartpost-pakettiautomaattiin 6,99 €: 10.12.2024
- Kuriiritoimitus 11,99 €: 10.12.2024
Tärkeimmät tuoteparametrit Kaikki parametrit
- CL: 22
- Enimmäistaajuus: 3200 MHz
- Kapasiteetti: 8 GB
- KIT: Yksittäinen moduuli
- Tyyppi: DDR4
Kaikki parametrit
CL
22
CL - muistisyklien viive millisekunteina. On suositeltavaa sijoittaa identtiset CL-muistit samalle emolevylle. Pienempi CL-aika tarkoittaa suurempaa toimintanopeutta, mutta kaikki emolevyt eivät kuitenkaan pysty takaamaan vakaata toimintaa nopeilla muisteilla. Ennen muistin ostamista kannattaa tarkistaa, tukeeko emolevy valitsemaasi CL-aikaa.
Enimmäistaajuus
3200 MHz
Muistin suurin nopeus megahertseinä. Korkeamman kellotaajuuden muisti takaa vakaan toiminnan alemman kellotaajuuden tilassa, esimerkiksi DDRII800-muisti toimii DDRII667- ja DDRII533-tiloissa. Kun DDRII667-muisti asennetaan yhdessä DDRII800-muistin kanssa, emolevy kuitenkin näyttää ja toimii DDRII667-tilassa. Ennen nopean muistin ostamista on tarkistettava, tukeeko emolevy vastaavaa kellotaajuutta (nopeutta).
Kapasiteetti
8 GB
Muistikapasiteetti megatavuina.
Nykyaikaiset käyttöjärjestelmät vaativat vähintään 1 gigatavun RAM-muistia, jotta tietokoneen toiminta olisi vakaata ja nopeaa. MS Windows 7:n (64-bittinen) käyttö edellyttää vähintään 2 Gt RAM-muistia, jotta se toimii täydellisesti.
Kaksoismuistitukea varten on asennettava muistipareja, joissa molemmissa muistimoduuleissa on sama kapasiteetti.
KIT
: Yksittäinen moduuli
Tyyppi
DDR4
RAM-muistin tyyppi. Yhdessä emolevyssä voidaan käyttää vain yhtä tyyppisiä RAM-moduuleja.
Parametrin standardit:
*Ennen RAM-muistin ostamista on tarkistettava, onko emolevyllä vastaava muistipaikka ja tuki kyseiselle muistityypille .
Yksityiskohtaisempi erittely
Brand - Samsung
BrandPartCode - M471A1K43EB1-CWE
Category - Memory Modules
Category 1 - Arbeitsspeicher
EAN - 5715063113233
Features - Buffered memory type - Unregistered (unbuffered)
Features - CAS latency - 21
Features - CAS latency - 22
Features - Chips organisation - 2Rx8
Features - Component for - Laptop
Features - ECC - No
Features - Internal memory - 8 GB
Features - Internal memory type - DDR4
Features - Memory clock speed - 3200 MHz
Features - Memory form factor - 260-pin SO-DIMM
Features - Memory layout (modules x size) - 1 x 8 GB
Features - Memory voltage - 1.2 V
Features - Module configuration - 1024M x 8
Features - Package type - OEM
GTIN - 4260580376568
GTIN - 5715063113233
LongDesc - Small outline DIMMSmaller than normal DIMMs Supports x8 / x16 / up to 2 ranks per DIMM and 2DPC configuration For systems with limited space issues Application : Laptop
LongProductName - 8 GB, DDR4, 260-pin, SODIMM, 3200 MHz
LongSummaryDescription - Samsung M471A1K43EB1-CWE. Component for: Laptop, Internal memory: 8 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 8 GB, Internal memory type: DDR4, Memory clock speed: 3200 MHz, Memory form factor: 260-pin SO-DIMM, CAS latency: 21
Manufacturer - SAMSUNG
MPN - M471A1K43EB1-CWE
Name - 3200 8GB Samsung SODIMM
producerCode - M471A1K43EB1-CWE
ProductName - M471A1K43EB1-CWE
productName - Samsung SODIMM 8GB DDR4 3200MH M471A1K43EB1-CWE
productSize - Normal
ShortSummaryDescription - Samsung M471A1K43EB1-CWE, 8 GB, 1 x 8 GB, DDR4, 3200 MHz, 260-pin SO-DIMM
sizeX - 10
sizeY - 30
sizeZ - 10
Title - Samsung M471A1K43EB1-CWE memory module 8 GB 1 x 8 GB DDR4 3200 MHz
URL - https://semiconductor.samsung.com/dram/module/sodimm/m471a1k43eb1-cwe/
WarrantyInfo -
warrantyLength - 24
warrantyType - G
Weight - 0.01
weight - 10
BrandPartCode - M471A1K43EB1-CWE
Category - Memory Modules
Category 1 - Arbeitsspeicher
EAN - 5715063113233
Features - Buffered memory type - Unregistered (unbuffered)
Features - CAS latency - 21
Features - CAS latency - 22
Features - Chips organisation - 2Rx8
Features - Component for - Laptop
Features - ECC - No
Features - Internal memory - 8 GB
Features - Internal memory type - DDR4
Features - Memory clock speed - 3200 MHz
Features - Memory form factor - 260-pin SO-DIMM
Features - Memory layout (modules x size) - 1 x 8 GB
Features - Memory voltage - 1.2 V
Features - Module configuration - 1024M x 8
Features - Package type - OEM
GTIN - 4260580376568
GTIN - 5715063113233
LongDesc - Small outline DIMMSmaller than normal DIMMs Supports x8 / x16 / up to 2 ranks per DIMM and 2DPC configuration For systems with limited space issues Application : Laptop
LongProductName - 8 GB, DDR4, 260-pin, SODIMM, 3200 MHz
LongSummaryDescription - Samsung M471A1K43EB1-CWE. Component for: Laptop, Internal memory: 8 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 8 GB, Internal memory type: DDR4, Memory clock speed: 3200 MHz, Memory form factor: 260-pin SO-DIMM, CAS latency: 21
Manufacturer - SAMSUNG
MPN - M471A1K43EB1-CWE
Name - 3200 8GB Samsung SODIMM
producerCode - M471A1K43EB1-CWE
ProductName - M471A1K43EB1-CWE
productName - Samsung SODIMM 8GB DDR4 3200MH M471A1K43EB1-CWE
productSize - Normal
ShortSummaryDescription - Samsung M471A1K43EB1-CWE, 8 GB, 1 x 8 GB, DDR4, 3200 MHz, 260-pin SO-DIMM
sizeX - 10
sizeY - 30
sizeZ - 10
Title - Samsung M471A1K43EB1-CWE memory module 8 GB 1 x 8 GB DDR4 3200 MHz
URL - https://semiconductor.samsung.com/dram/module/sodimm/m471a1k43eb1-cwe/
WarrantyInfo -
warrantyLength - 24
warrantyType - G
Weight - 0.01
weight - 10
